6" 8" 12" Oxide wafer
6" 8" 12" 氧化膜片 Oxide wafer
氧化膜片
|
6 “ |
8” |
12” |
Thickness |
675 ± 25 um |
725 ± 25 um |
775 ± 25 um |
Type |
P |
P |
P |
Orientation |
<100> |
<100> |
<100> |
Res. |
1 ~ 100 ohm-cm |
1 ~ 100 ohm-cm |
1 ~ 100 ohm-cm |
TTV |
<50um |
<50um |
<50um |
WARP |
<50um |
<50um |
<50um |
Thermal Oxide Layer |
1000~10000A± 10% |
1000~10000A± 10% |
1000~10000A± 10% |
Thermal(爐管) Oxide(二氧化矽) wafer
熱氧化物或裸矽表面上形成二氧化矽層,在氧化劑的存在下在升高的溫度下,該過程稱為熱氧化。通常生長熱氧化層在水平管式爐中,在溫度範圍從900°C〜1200°C,使用“濕”或“幹”的生長方法。熱氧化物是一種“生長”的氧化物層,相對於CVD法沉積的氧化物層,它具有較高的均勻性和更高的介電強度,這是一個極好的作為絕緣體的介電層。大多數矽為基礎的設備,熱氧化層扮演著重要的角色,安撫矽表面,作為摻雜障礙和表面電介質。
產品應用:
1. 蝕刻率測試
2. 金屬打線測試
3. 金屬晶圓
4. 電性絕緣層
兆躍科技
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