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IXDH35N60B, 電晶體, IGBT (IXYS, Transistor, IGBT)

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刊登者: 新北市淡水區-翹慧事業全部產品:19  

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Parameter

IXDH35N60B

VCES, (V)  

600  

IC25, TC=25°C, IGBT, (A)  

60  

IC90, TC=90°C, IGBT, (A)  

35  

IC110, TC=110°C, IGBT, (A)  

  

VCE(sat), max, TJ=25°C, IGBT, (V)  

2.7  

tfi, typ, IGBT, (ns)  

70  

Eoff, typ, TJ=125°C, IGBT, (mJ)  

0.80  

RthJC, max, IGBT, (K/W)  

0.50  

IF, TC=90°C, Diode, (A)  

-  

RthJC, max, Diode, (K/W)  

-  

Package Style  

TO-247  

 

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刊登者:翹慧事業

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  • 所在地:新北市
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