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半導體材料
公司: 羽昌科技股份有限公司
官網: www.euchang.com/
全部產品:11  筆   單價:請詢價
點閱:221   產品狀態:新品
電話:04-24720263
地址:台中市南屯區文心路一段186號

 

一.Test Wafer / Dummy Wafer / Monitor Wafer

測試片 / 檔片 / 控片

 6” 8” 12” Dummy wafer

 

二.Metal film Wafer

金屬膜晶圓片(Al、Ni、Ag、Au、Ti、Pb、Cu)

 

產品應用:

1.     蝕刻率測試

2.     金屬打線測試

3.     金屬晶圓

4.     電性絕緣層

 

三.8”&12” Thermal Oxide film / Nitride film 8”&12”

氧化膜 / 氮化膜晶圓片

 

6 “

8”

12”

Thickness

675 ± 25 um   

725 ± 25 um   

775 ± 25 um

Type

P

P

P

Orientation

<100>

<100>

<100>

Res.

1 ~ 100 ohm-cm

1 ~ 100 ohm-cm

1 ~ 100 ohm-cm

TTV

<50um

<50um

<50um

WARP

<50um

<50um

<50um

Thermal Oxide Layer

1000~10000A± 10%

1000~10000A± 10%

1000~10000A± 10%

 

Thermal Oxide wafer (熱氧化膜片)

熱氧化處理需要在高溫爐管區中進行,爐內溫度控制在800 - 1000℃。矽晶圓在爐內高
溫環境下,晶圓表面會與通入爐管內之氧氣作用而形成二氧化矽膜(SiO2)。 web66

熱氧化物是一種“生長”的氧化物層,相對於CVD法沉積的氧化物層,它具有較高的均勻性和更高的介電強度,這是一個極好的作為絕緣體的介電層。大多數矽為基礎的設備,熱氧化層扮演著重要的角色,安撫矽表面,作為摻雜障礙和表面電介質。

 

四.6" 8" 12" 鋁膜片 AL wafer

 

6 “

8”

12”

Thickness

>500 um 

>600 um 

>650 um

TTV

<50um

<50um

<50um

WARP

<50um

<50um

<50um

Metallization Thinkness

1000~10000A± 10%

1000~10000A± 10%

1000~10000A± 10%

 

產品應用:

1.     封裝測試

2.     研磨測試

3.     切割測試

4.     上片測試

5.     挑揀測試

6.     打線測試

7.     鋁線產品切割或wire bonding等的封測

8.     機台品質控製或參數設定測試

9.     研發製程人員特殊實驗或是打樣

10.    dummy IC/chips 生產

 

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