2SB772P
電晶體類型:PNP 電流-集電極(Ic)(最大):3A 電壓-集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):1.1V@150mA,3A 電流-集電極截止(最大):1
電晶體類型:PNP
電流 - 集電極 (Ic)(最大):3A
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): 30V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大): 1.1V @ 150mA, 3A
電流 - 集電極截止(最大): 100μA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE) :100 @ 100mA, 2V
功率 - 最大 :12.5W
頻率 - 轉換 :100MHz
安裝類型 :通孔
產品寬度:2.7mm 產品長度:7.8mm
產品高度:10.8mm
引腳數目:3
最大 發射極基極電壓:5V
雷利電子
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