高纯铝靶(Al)5N5 99.9995%
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产品名称:高纯铝靶(Al靶)
纯度:99.999%-99.9995%
晶粒:<100um
尺寸规格:按客户要求
高纯铝靶的应用:
在制造集成电路芯片时阴极溅射是一道必不可少的工艺,这是一种特殊的高技术工艺,蒸发的呈等离子状态的铝沉积于阴极靶面,即在硅片上形成一层薄薄的均匀的极少缺陷的铝膜,随后在膜上涂一层感光性树脂,经曝光后除去无用的部位即未感光的树脂,也就是把这些处的树脂腐蚀掉,而保留的极窄的铝条便是所需的导电体。阴极溅镀用的铝越纯,其电导率也就越高超高纯铝的另一重要用途是作为集成电路的配线。超高纯铝中的痕量杂质铀与钍是越少越好,因为它们是放射性元素,在时时释放α粒子,从而造成集成电路出现故障,使程序失误与混乱。惠州拓普生产的5N2高纯铝中U+Th<5ppb(wt%),5N5超高纯铝中U+Th<1ppb(wt%)。5N及5N5的大尺寸板状靶材,大规模应用于PDP及TFT-LCD平板显示器,太阳能电池镀膜用溅射靶材。板靶原材料中Fe、Si、Cu、V、Ti等杂质完全符合相应标准。在超导领域,超高纯铝用作超导电缆的稳定化材料。在电子领域5N超纯铝用于制造光电子存储媒体,如CD、CD-ROM、CD-RW、数据盘或微型盘、DVD银盘等,在银盘中用5N超纯铝溅射膜作为光反射层。超纯铝中的杂质含量极少。杂质含量极少使得超纯铝具有一些特殊的性能优点典型的性能特点1.不纯物元素含量极低。杂质元素含量越低,金属间化合物密度越小2.导电性能良。3RRR值高,在极低温区的电阻非常小。3.光反射性能非常强,对紫外线有很高的反射率!
惠州市拓普金属材料有限公司生产的高纯铝靶具有高纯度、大尺寸、大密度、合金小偏析的特点,产品销往美国、欧州、以色列、日本、韩国等地年产值近三千万美元我们公司先后完成多项广东省、国家科技部的“火炬计划项目”、“重点工业攻关项目”、我公司也被国家科技部认定为“国家重点高新技术企业”.
99.9995%高纯铝靶
惠州拓普
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