IC grade silicon wafer
可提供4吋、6吋、8吋、12吋。
SIZE:
TYPE:P012
DOPANT:BORON
ORIENTATION:100
FLAT / NOTCH:Notch
EDGE TYPE:F-TYPE-2step
LASER MARKING:HARD MARKING
EDGE POLISHING:100% conduct
THICKNESS TYPE:STANDARD
BSD:NONE
GRADE:Normal 1
ETCHING:Caustic+Slight(12"Etching Process)
EPI:Do not conduct
HEAT TREATMENT:Do not conduct
PRODUCT TYPE:DOUBLE-POLISHED WAFER(12")
BACKSEAL:Do not conduct
POLY BACK:Do not conduct
THICKNESS UNIT:μm
THICKNESS MIN:745
THICKNESS MAX:805
RES UNIT:Ω-㎝
RES MIN:1
RES MAX:35
NOTCH ORI:+0+1+1
NOTCH TOLERANCE:1.0
SLICE OFF ANGLE DEG:0.0
SLICE OFF ANGLE TOLERANCE:0.4
SLICE OFF ANGLE DIRECTION:+1+1+0
WARP MAX:42.75
BOW MAX:42.75
TTV MAX:4.27
STIR1 METHOD:SFQR
STIR1 SITE MAX:0.05
STIR1 TOTAL SIZE:336
STIR1 SITE SIZE:26X8
STIR1 SITE PUA:100
STIR1 REF PLANE:Site Best Fit
STIR1 PARTIAL:Active
Shipping Box:3S : FIMS FOSB 12" - GSW 300 (V2)
Particle:>0.065(50ea)
我們可提供4吋、6吋、8吋、12吋,歡迎洽詢。
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