半導體材料

 

一.Test Wafer / Dummy Wafer / Monitor Wafer

測試片 / 檔片 / 控片

 6” 8” 12” Dummy wafer

 

二.Metal film Wafer

金屬膜晶圓片(Al、Ni、Ag、Au、Ti、Pb、Cu)

 

產品應用：

1.     蝕刻率測試

2.     金屬打線測試

3.     金屬晶圓

4.     電性絕緣層

 

三.8”&12” Thermal Oxide film / Nitride film 8”&12”

氧化膜 / 氮化膜晶圓片

	6 “	8”	12”
Thickness	675 ± 25 um	725 ± 25 um	775 ± 25 um
Type	P	P	P
Orientation	<100>	<100>	<100>
Res.	1 ~ 100 ohm-cm	1 ~ 100 ohm-cm	1 ~ 100 ohm-cm
TTV	<50um	<50um	<50um
WARP	<50um	<50um	<50um
Thermal Oxide Layer	1000~10000A± 10%	1000~10000A± 10%	1000~10000A± 10%

 

Thermal Oxide wafer (熱氧化膜片)

熱氧化處理需要在高溫爐管區中進行，爐內溫度控制在800 - 1000℃。矽晶圓在爐內高
溫環境下，晶圓表面會與通入爐管內之氧氣作用而形成二氧化矽膜(SiO2)。

熱氧化物是一種“生長”的氧化物層，相對於CVD法沉積的氧化物層，它具有較高的均勻性和更高的介電強度，這是一個極好的作為絕緣體的介電層。大多數矽為基礎的設備，熱氧化層扮演著重要的角色，安撫矽表面，作為摻雜障礙和表面電介質。

 

四.6" 8" 12" 鋁膜片 AL wafer

	6 “	8”	12”
Thickness	>500 um	>600 um	>650 um
TTV	<50um	<50um	<50um
WARP	<50um	<50um	<50um
Metallization Thinkness	1000~10000A± 10%	1000~10000A± 10%	1000~10000A± 10%

 

產品應用：

1.     封裝測試

2.     研磨測試

3.     切割測試

4.     上片測試

5.     挑揀測試

6.     打線測試

7.     鋁線產品切割或wire bonding等的封測

8.     機台品質控製或參數設定測試

9.     研發製程人員特殊實驗或是打樣

10.    dummy IC/chips 生產