HLNAND快閃記憶體

與使用傳統 NAND 快閃記憶體裝置的快閃記憶體儲存系統相比，新一代快閃記憶體可提供卓越的可擴充性、效能和可靠性。

HLNAND 基於獨特的菊花環架構構建，該架構超越了業界標準 NAND 快閃記憶體產品中使用的平行總線架構

• 為快閃記憶體實現的點對點環形拓撲
• 每個設備驅動單點負載
• 每個通道的設備數量幾乎不受限制
• 不需要 ODT

• 創新架構：超大規模記憶體架構
• 高速介面：533/667/800/1066/1333/1600 MT/s
• 低功耗：環形拓撲，無需片上端接和智慧型 IO 開關電源截斷
• 理想的訊號完整性：高速通道的點對點菊花鏈
• 與 NAND 無關：SLC、eMLC、MLC、TLC
• 高容量：1Tb 和 2Tb HLNAND、4Tb 3D HLNAND