2SB772P
電晶體類型：PNP 電流-集電極(Ic)（最大）：3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大）：30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：1.1V@150mA,3A 電流-集電極截止（最大）：1
電晶體類型：PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）：3A
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）： 30V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）： 1.1V @ 150mA, 3A
電流 - 集電極截止（最大）： 100μA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE) ：100 @ 100mA, 2V
功率 - 最大 ：12.5W
頻率 - 轉換 ：100MHz
安裝類型 ：通孔
產品寬度：2.7mm 產品長度：7.8mm
產品高度：10.8mm
引腳數目：3
最大 發射極基極電壓：5V
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